Technology of Ferroelectric Thin Film Formation with Large Memory Window for Future Scaling Down of Ferroelectric Gate FET Memory Device

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タイトル
Technology of Ferroelectric Thin Film Formation with Large Memory Window for Future Scaling Down of Ferroelectric Gate FET Memory Device
著者
Ichirou Takahashi, Tadahiro Ohmi, et al.

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詳細情報

  • CRID
    1010000781948824836
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN

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