Device characteristics of carbon nanotube transistor fabricated by direct growth method
書誌事項
- タイトル
- Device characteristics of carbon nanotube transistor fabricated by direct growth method
- 著者
- N. Inami, M. A. Mohamed, E. Shikoh, and A. Fujiwara
収録刊行物
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- Appl. Phys. Lett 92
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Appl. Phys. Lett 92 2008
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詳細情報
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- CRID
- 1010000782026551177
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- 資料種別
- journal article
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- データソース種別
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- KAKEN