High Drain Current Density E-Mode Al_2O_3/AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si With Enhanced Power Device Figure-of-Merit (4×10^<8> V^<2>Ω^<-1>cm^<-2>)
書誌事項
- タイトル
- High Drain Current Density E-Mode Al_2O_3/AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si With Enhanced Power Device Figure-of-Merit (4×10^<8> V^<2>Ω^<-1>cm^<-2>)
- 著者
- J. J. Freedsman, T. Kubo, T. Egawa
収録刊行物
-
- IEEE Transactions on Electron Devices
-
IEEE Transactions on Electron Devices Vol. 60, No. 10 3079-3083, 2013
- Tweet
詳細情報
-
- CRID
- 1010000782150500736
-
- 資料種別
- journal article
-
- データソース種別
-
- KAKEN