著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
,Pendio epitaxial growth of 3C-SiC on Si substrates,Materials Science Forum 483-485,,,2005,,,221-224,https://cir.nii.ac.jp/crid/1010282256781784971,