Vertical GaP nanowires arranged at atomic steps on Si(111) substrates

  • 舘野 功太
    日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
  • 後藤 秀樹
    日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

書誌事項

タイトル
Vertical GaP nanowires arranged at atomic steps on Si(111) substrates
著者
舘野功太, 後藤秀樹

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1010282256954646542
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN

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