High On/Off Ratio in Enhancement-Mode AlxGal-xN/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-type GaN Gate Contact

書誌事項

タイトル
High On/Off Ratio in Enhancement-Mode AlxGal-xN/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-type GaN Gate Contact
著者
T.Fujii, N.Tsuyukuchi, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki

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詳細情報

  • CRID
    1010282256965870852
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN

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