SiC半導体材料が示す新奇偏光回転効果の実態解明

KAKEN

About This Project

Japan Grant Number
JP25K22229 (JGN)
Funding Program
Grants-in-Aid for Scientific Research
Funding Organization
Japan Society for the Promotion of Science

Kakenhi Information

Project/Area Number
25K22229
Research Category
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Allocation Type
  • Multi-year Fund
Review Section / Research Field
  • Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
Research Institution
  • Kyushu University
Project Period (FY)
2025-06-27 〜 2027-03-31
Project Status
Granted
Budget Amount*help
6,370,000 Yen (Direct Cost: 4,900,000 Yen Indirect Cost: 1,470,000 Yen)

Research Abstract

本研究では、対象とする特異な偏光回転効果のメカニズムをナノ量子系の観点から明らかにすることを目的とする。研究初年度は、未だ体系的には取り組まれていないデバイス作成時のドーピング条件・アニール条件とそれらに応じて発現する偏光回転効果との相関関係を明らかにすると共に、電流ないしは電流由来の磁場と光局在場との間に働く相互作用の物理的様相について議論する。2年目には、初年度に明らかにした種々の事象に基づき同効果の発現に関する物理モデルを構築する。その上で同現象に基づく偏光回転量とその特質についてそれぞれの仕様を定量的に明らかにする。

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