SiC半導体材料が示す新奇偏光回転効果の実態解明

研究課題情報

体系的番号
JP25K22229 (JGN)
助成事業
科学研究費助成事業
資金配分機関情報
日本学術振興会(JSPS)

科研費情報

研究課題/領域番号
25K22229
研究種目
挑戦的研究(萌芽)
配分区分
  • 基金
審査区分/研究分野
  • 中区分30:応用物理工学およびその関連分野
研究機関
  • 九州大学
研究期間 (年度)
2025-06-27 〜 2027-03-31
研究課題ステータス
交付
配分額*注記
6,370,000 円 (直接経費: 4,900,000 円 間接経費: 1,470,000 円)

研究概要

本研究では、対象とする特異な偏光回転効果のメカニズムをナノ量子系の観点から明らかにすることを目的とする。研究初年度は、未だ体系的には取り組まれていないデバイス作成時のドーピング条件・アニール条件とそれらに応じて発現する偏光回転効果との相関関係を明らかにすると共に、電流ないしは電流由来の磁場と光局在場との間に働く相互作用の物理的様相について議論する。2年目には、初年度に明らかにした種々の事象に基づき同効果の発現に関する物理モデルを構築する。その上で同現象に基づく偏光回転量とその特質についてそれぞれの仕様を定量的に明らかにする。

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