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"土方, 泰斗 and 吉田, 貞史 and 吉川, 正人 and 石田, 夕起 and 直本, 保 and 伊藤, 久義 and 奥村, 元 and 高橋, 徹夫 and 土田, 秀一",炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果(<特集>ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集),"電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス",1345-2827,社団法人電子情報通信学会,2003,J86-C,4,426-433,https://cir.nii.ac.jp/crid/1050001337818003968,