著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
"小野, 貴寛 and 大田, 晃生 and 村上, 秀樹 and 東, 清一郎 and 宮崎, 誠一 and Ono, Takahiro and Ohta, Akio and Murakami, Hideki and Higashi, Seiichiro and Miyazaki, Seiichi","As^+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)","電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス",09135685,一般社団法人電子情報通信学会,2012-06-14,112,92,63-67,https://cir.nii.ac.jp/crid/1050001338804689664,