著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI) "村上, 秀樹 and 三嶋, 健斗 and 大田, 晃生 and 橋本, 邦明 and 東, 清一郎 and 宮崎, 誠一 and MURAKAMI, Hideki and MISHIMA, Kento and OHTA, Akio and HASHIMOTO, Kuniaki and HIGASHI, Seiichiro and MIYAZAKI, Seiichi","TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)","電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス",09135685,一般社団法人電子情報通信学会,2012-06-14,112,92,33-36,https://cir.nii.ac.jp/crid/1050282813781400704,