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  • 金属/GeO_2界面における化学結合状態の光電子分光分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
  • キンゾク GeO2 カイメン ニ オケル カガク ケツゴウ ジョウタイ ノ コウデンシ ブンコウ ブンセキ
  • Photoemission Study of Chemical Bonding Features at Metal/GeO_2 Interfaces

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熱酸化により形成したGeO_2/Ge(100)界面および金属(Al,AuおよびPt)薄膜形成後のGeO_2との界面化学結合状態をXPS分析により評価した。室温のAl蒸着において、GeO_2初期膜厚(>〜1nm)に関わらず、厚さ〜1nm程度GeO_2が還元されることが明らかになった。初期GeO_2膜厚が1.0nm程度の場合にはGeO_2からAlへの酸素原子の拡散が支配的であり、GeO_2膜厚が1.9nm以上の場合は酸素原子拡散に加えてAl-Ge結合の形成が明瞭に観測された。また、極薄AuおよびPtを熱酸化GeO_2上に堆積した場合、金属/GeO_2界面に熱酸化GeO_2/Ge界面と同等量のサブオキサイド成分(GeO_x:0<x<2)の形成を確認した。We have investigated chemical bonding features at thermally-grown GeO_2/Ge(100) and metals (Al, Au and Pt)/GeO_2 interfaces by using high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). After the Al evaporation on GeO_2 thicker than 1.9nm initially, a reduction of GeO_2 accompanied with the generation of Al-Ge bonds was observed near the interface between Al and GeO_2. From the deconvolution of measured Ge3ds/2 spectra taken after physical vapor deposition of Au- and Pt-ultrathin films on thermally-grown GeO_2, we have confirmed the formation of Ge sub-oxide components (GeO_x 0<x<2) at the metal/GeO_2 interfaces being quantitatively comparable to sub-oxides at the thermally-grown GeO_2/Ge(100) interface.




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