書誌事項
- タイトル別名
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- 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析
- キンゾク GeO2 カイメン ニ オケル カガク ケツゴウ ジョウタイ ノ コウデンシ ブンコウ ブンセキ
- Photoemission Study of Chemical Bonding Features at Metal/GeO_2 Interfaces
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抄録
熱酸化により形成したGeO_2/Ge(100)界面および金属(Al,AuおよびPt)薄膜形成後のGeO_2との界面化学結合状態をXPS分析により評価した。室温のAl蒸着において、GeO_2初期膜厚(>〜1nm)に関わらず、厚さ〜1nm程度GeO_2が還元されることが明らかになった。初期GeO_2膜厚が1.0nm程度の場合にはGeO_2からAlへの酸素原子の拡散が支配的であり、GeO_2膜厚が1.9nm以上の場合は酸素原子拡散に加えてAl-Ge結合の形成が明瞭に観測された。また、極薄AuおよびPtを熱酸化GeO_2上に堆積した場合、金属/GeO_2界面に熱酸化GeO_2/Ge界面と同等量のサブオキサイド成分(GeO_x:0<x<2)の形成を確認した。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111 (114), 63-68, 2011-06-27
一般社団法人電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1050564288758106240
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- NII論文ID
- 110008800857
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- HANDLE
- 2237/23574
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- NDL書誌ID
- 11200224
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- ja
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- 資料種別
- journal article
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- データソース種別
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