著者名,書名,版表示,出版者名,出版年,シリーズ名,番号,ISBN,ISSN,URL
"長谷川, 英機",超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現,,[北海道大学大学院工学研究科],2000,科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書,,,,https://cir.nii.ac.jp/crid/1130000795873802240