書誌事項
- タイトル別名
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- Interface Structures of Graphene-on-SiC Produced by the SiC Surface Decomposition Method
- SiC ヒョウメン ブンカイホウ ニ ヨリ セイセイ スル グラフェン SiC カイメン ノ コウゾウ
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説明
Atomic-scale structure of the interface between graphene and SiC(0001) has been investigated using high-resolution transmission electron microscope observation. Our analysis revealed the presence of two types of the interface structure ; one is formed by decomposition of three SiC bilayers, and the other is formed by that of one SiC bilayer. Formation process of graphene layers on SiC is also described.
収録刊行物
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- 日本結晶学会誌
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日本結晶学会誌 51 (6), 313-319, 2009
日本結晶学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204085594240
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- NII論文ID
- 10026107566
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- NII書誌ID
- AN00188364
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- COI
- 1:CAS:528:DC%2BC3cXhsVKgs7Y%3D
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- ISSN
- 18845576
- 03694585
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- NDL書誌ID
- 10552521
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可