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嶋田 寿一 and 片山 良史 and 宇佐美 勝久,反応性スパッタリング法によるa-Si<sub><i>x</i></sub>C<sub>1-<i>x</i></sub>: H “混非晶”の作成といくつかの性質,応用物理,03698009,公益社団法人 応用物理学会,1979,48,12,1200-1204,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390001204629169792,https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.48.1200