Characterization of Chip on Chip Connection with Micro Au Bump Array Made by Non-Cyanide Electroless Plating

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  • ノンシアン無電解めっき法による微細Auバンプを用いたチップ間接続特性の評価

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近年の電子機器の急速な小型高機能化に対応するLSIデバイスの実装技術では、微細バンプによるチップ接続技術が求められる。電解めっきによるバンプ作製では、電流密度分布によるバンプ高さの不均一が生じることから、バンプの微細化が困難であった。我々は環境問題への配慮から、均一成膜性に優れたノンシアン無電解めっき法にて、Cu微細配線上に直径10μmの微細Auバンプを作製し、チップ接続実験を行った。この接続構造体の機械特性についてはシェア強度評価を、また電気特性についてはチップ間へのアンダーフィル材の誘電率の違いによる線路の特性インピーダンス値の変化について評価を行ったので、その結果を報告する。

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  • CRID
    1390001205556597760
  • NII Article ID
    130005469787
  • DOI
    10.11486/ejisso.25.0_221
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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