Ge(100)2×1およびGe(111)c(2×8)表面の室温酸化物の放射光光電子分光研究

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • Synchrotron radiation photoemission study on oxides formed at Ge(100)2x1 and Ge(111)c(2x8) surfaces

抄録

GeはSiより優れたキャリアー移動度を有するため、次世代LSIの代替えチャネル材料として注目されている．酸素ガスおよび超音速酸素分子線によって超高真空中で作成したGe(100)2×1およびGe(111)c(2×8)清浄表面を室温酸化したものを比較した．発表では、放射光光電子分光によって明らかになった吸着量や酸化価数の違いおよび酸化反応メカニズムなどを報告する．

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205677659008
  • NII論文ID
    130005489138
  • DOI
    10.14886/sssj2008.35.0_158
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

問題の指摘

ページトップへ