Ge(100)2×1およびGe(111)c(2×8)表面の室温酸化物の放射光光電子分光研究
書誌事項
- タイトル別名
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- Synchrotron radiation photoemission study on oxides formed at Ge(100)2x1 and Ge(111)c(2x8) surfaces
抄録
GeはSiより優れたキャリアー移動度を有するため、次世代LSIの代替えチャネル材料として注目されている.酸素ガスおよび超音速酸素分子線によって超高真空中で作成したGe(100)2×1およびGe(111)c(2×8)清浄表面を室温酸化したものを比較した.発表では、放射光光電子分光によって明らかになった吸着量や酸化価数の違いおよび酸化反応メカニズムなどを報告する.
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 35 (0), 158-, 2015
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205677659008
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- NII論文ID
- 130005489138
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可