著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
土田 秀一 and 鎌田 功穂 and 宮澤 哲哉 and 伊藤 雅彦 and 長野 正裕 and 田沼 良平,4H-SiCエピタキシャル成長における欠陥挙動解析と欠陥制御技術(<特集>SiCの現状と今後の展開),日本結晶成長学会誌,03856275,日本結晶成長学会,2013,40,1,33-41,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390001205898245632,https://doi.org/10.19009/jjacg.40.1_33