Si(111)-(√7×√3)-In表面超伝導体上へのCuPc及びF<sub>16</sub>CuPc吸着による超伝導転移温度変化

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タイトル別名
  • Modification of the superconducting transition temperature of the Si(111)-(!LaTeX$\sqrt{7}\times\sqrt{3}$)-In surface by adsorption of CuPc and F<sub>16</sub>CuPc

抄録

<p>Si(111)-(root7xroot3)-Inは表面超伝導を示すが、表面へのドーパント供給等により超伝導転移温度の変調が可能となると考えられる。実際にこれまでに電子アクセプタ性のCuPc分子を添加すると、転移温度が上昇することが報告された。本研究ではよりアクセプタ性の強いF16CuPcの添加を試みる。ここではSi(111)-(root7xroot3)-Inに、CuPc及びF16CuPcを添加した場合の分子配列と電子状態、表面電気伝導を調べ、比較した。STMによればF16CuPc分子はCuPcと同様の分子膜を形成したが、Tcを減少させることがわかった。光電子分光では、F16CuPcの分子軌道はフェルミ準位付近の電子状態を大きく変調しないのに対し、CuPcでは部分的に占有された金属的なLUMOがフェルミ準位に位置しており、系のフェルミ準位の状態密度の増大が見られた。これより、CuPcはドーパントとして機能しているのに対し、F16CuPcは散乱体となっていることが予想される。</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001206048261760
  • NII論文ID
    130006710522
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2586
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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