シリコンウェーハのゲッタリング技術の進展

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  • 栗田 一成
    株式会社SUMCO 技術本部 評価・基盤技術部 製品基盤技術課

書誌事項

タイトル別名
  • Progress of gettering technology for silicon wafers
  • シリコンウェーハ ノ ゲッタリング ギジュツ ノ シンテン
公開日
2015-07-10
DOI
  • 10.11470/oubutsu.84.7_628
公開者
公益社団法人 応用物理学会

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説明

<p>シリコンウェーハのゲッタリング技術は，半導体デバイスプロセスにおける重金属汚染，歩留まり改善のための技術として発展してきた．近年，携帯電話，タブレットなどのユビキタスデバイスへの高感度撮像デバイスの実装が進展している．これらの撮像デバイス特性は，デバイス工程での重金属汚染の影響を強く受けるため重金属の特性およびゲッタリング技術に関する検討が必要である．このため，撮像デバイスにおけるゲッタリング技術の最新トレンドについて概説し，筆者らが取り組んでいるクラスタイオン照射による近接ゲッタリング技術について紹介する．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 84 (7), 628-633, 2015-07-10

    公益社団法人 応用物理学会

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