著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
松畑 洋文 and 関口 隆史,4H-SiC電力素子中でのREDG効果により成長したShockley型積層欠陥の形状についての解析,日本結晶学会誌,03694585,日本結晶学会,2020-08-31,62,3,150-157,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390004222610888448,https://doi.org/10.5940/jcrsj.62.150