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具 燦淳 and 金子 光顕 and 木本 恒暢,高温アニールおよび熱酸化処理による高純度半絶縁性4H-SiC基板のフェルミ 準位の変化,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2020-08-26,2020.2,0,2143-2143,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390010457641211776,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_2143