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久本 大 and 手賀 直樹 and 谷 和樹 and 須藤 建瑠 and 毛利 友紀,3次元SiC－MOSFETにおける不純物層設計技術,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2019-02-25,2019.1,0,216-216,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390011727208548352,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_216