常温接合によるダイヤモンドBOX層SOIウェーハの検討2 －ＴＥＧ作製による電気特性評価－
書誌事項
- タイトル別名
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- A Study of Room-Temperature Bonding of SOI Wafer with Diamond-BOX Layer Ⅱ - Evaluating electrical characteristics using test element group -
- 公開日
- 2018-09-05
- DOI
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- 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1362
- 公開者
- 公益社団法人 応用物理学会
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 (0), 1362-1362, 2018-09-05
公益社団法人 応用物理学会