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永田 善也 and 清水 拓磨 and 竹内 正太郎 and 藤平 哲也 and 酒井 朗,酸素空孔分布制御型4端子メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2018-03-05,2018.1,0,1522-1522,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390012180531183488,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1522