炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（6） -多元素・分子イオン注入技術の開発検討-
書誌事項
- タイトル別名
-
- Characteristics of Carbon Cluster Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers (6) - Development study of multi-element molecular ion implantation technique -
- 公開日
- 2016-03-03
- DOI
-
- 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3624
- 公開者
- 公益社団法人 応用物理学会
収録刊行物
-
- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
-
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 (0), 3624-3624, 2016-03-03
公益社団法人 応用物理学会