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三島 友義,デバイス試作によるワイドギャップ半導体評価,法政大学イオンビーム工学研究所報告,02860201,法政大学イオンビーム工学研究所,2020-02-17,39,,25-42,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390017965055020928,https://doi.org/10.15002/00030277