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来山 大祐 and 小柳 友常 and 角嶋 邦之 and Parhat Ahmet and 筒井 一生 and 西山 彰 and 杉井 信之 and 名取 研二 and 服部 健雄 and 岩井 洋,EOT=0.5nmに向けたTaSi<sub>2</sub>/La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/CeO<sub>x</sub>ゲートスタック構造の検討,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2010-03-03,2010.1,0,2802-2802,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390017975918871936,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2802