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牛久保 真帆 and 横山 誠一 and 伊藤 康幸 and 松永 宏典 and 厚木 勉 and 米澤 政 and 小木 勝実,減圧アニール法によるゾルゲルSrBi<sub>2</sub>Ta<sub>2</sub>O<sub>9</sub>薄膜の低温形成,電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）,03854221,一般社団法人 電気学会,1997,117,3,227-232,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282679584491648,https://doi.org/10.1541/ieejeiss1987.117.3_227