著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
浅野 勝則 and 林 利彦 and 高山 大輔 and 菅原 良孝 and Ryu Sei-Hyung and Palmour John W.,ノーマリオフ型５ｋＶ級４Ｈ‐ＳｉＣ ＪＦＥＴ“ＳＥＪＦＥＴ”の電気的特性,電気学会論文誌Ｄ（産業応用部門誌）,09136339,一般社団法人 電気学会,2005,125,1,26-31,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282679635237120,https://doi.org/10.1541/ieejias.125.26