A low-temperature synthesis of zinc oxide films
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- Segawa Hiroyo
- Tokyo Institute of Technology
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- Sakurai Hideaki
- Mitsubishi Material Co.
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- Yano Tetsuji
- Tokyo Institute of Technology
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- Shibata Shuichi
- Tokyo Institute of Technology
Bibliographic Information
- Other Title
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- 溶液法による酸化亜鉛膜の作製と物性評価
Description
酸化亜鉛は代表的なワイドギャップ半導体であり、透明導電膜や蛍光体としての特性を有する。溶液法での合成では低温で酸化亜鉛が直接合成できる。本研究では、溶液法を用いたZnO膜の作製を行ったところ、100℃以下でも六角柱が緻密に並び、c軸配向した膜が得られることが明らかになった。スパッタ法で作製した膜と比較したところ、柱間の空隙があり、また膜中に水分やSi、Cl等の不純物が残存していることが確認された。それらの比較に基づいて、電気特性の改善を試みたところ、500℃の焼結によって膜の緻密化が進行し、電気抵抗が低下した。
Journal
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- Preprints of Annual Meeting of The Ceramic Society of Japan<br> Preprints of Fall Meeting of The Ceramic Society of Japan
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Preprints of Annual Meeting of The Ceramic Society of Japan<br> Preprints of Fall Meeting of The Ceramic Society of Japan 2009S (0), 98-98, 2009
The Ceramic Society of Japan
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680595581440
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- NII Article ID
- 130006977634
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed