Effect of imaging gas supply and electric field strength on field ionization rate of Ne at a single atom site of W (011) and (112) planes

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  • W(011)、(112)表面の単一原子上におけるNeの電界イオン生成率に及ぼすガス供給と電場強度の影響

Abstract

電界イオン顕微鏡にパルス計測機能を組み込んだ装置を用い、Neをイメージングガスとして、W試料の（011）面と（112）面における単一原子位置から放射される電界イオンを計数計測した。生成する電界イオン数のTip印加電圧とNeガス圧依存性を測定した結果、異なる原子位置でのイオン生成率は、局所的な電場強度、ガス供給率およびイオン化によるガス密度減少の寄与割合の違いによって大きく変化することが分かった。

Journal

Details

  • CRID
    1390282680655318272
  • NII Article ID
    130005038099
  • DOI
    10.14886/sssj2008.30.0.307.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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