著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
佐々木 英二 and 瀬下 清 and 村上 幸 and 山崎 努 and 塚本 敬一 and 中山 和洋 and 柏田 真吾 and 西澤 秀明 and 土肥 俊郎,S1660102 H_2O_2を用いたシリカスラリーによる高効率ワイドギャップ半導体材料基板の研磨([S166]窒化物半導体デバイスの精密加工プロセス),年次大会,2424-2667,一般社団法人 日本機械学会,2014,2014,0,_S1660102-,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282680820517888,https://doi.org/10.1299/jsmemecj.2014._s1660102-