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山口 浩司 and 堀越 佳治,"27a-D-6 GaAs,InAs表面におけるAs脱離過程への表面再構成の影響",年会講演予稿集,2433-1139,一般社団法人 日本物理学会,1991,46.2,0,123,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282681183859072,https://doi.org/10.11316/jpsgaiyod.46.2.0_123_2