著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI) Okamoto Yoichi and Inai Hiroshi and Morimoto Jun,Temperature dependence of the thermoelectric properties of Si doped SiC.,粉体および粉末冶金,05328799,一般社団法人 粉体粉末冶金協会,1998,45,10,905-908,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282681285195904,https://doi.org/10.2497/jjspm.45.905