著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
森田 行則 and 右田 真司 and 水林 亘 and 太田 裕之,原子層堆積法とTiキャップアニールによる極薄SiO<sub>2</sub>換算膜厚を持つhigh-<i>k</i>（<i>k</i>＝40）HfO<sub>2</sub>ゲートスタックの形成,表面科学,03885321,公益社団法人 日本表面科学会,2012,33,11,610-615,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282681435671680,https://doi.org/10.1380/jsssj.33.610