著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
大塚 康二,Si基板上への窒化物半導体のエピタキシャル成長技術とインパクト,応用物理,03698009,公益社団法人 応用物理学会,2007-05-10,76,5,489-494,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282752335616128,https://doi.org/10.11470/oubutsu.76.5_489