著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
鵜殿 治彦,半導体鉄シリサイドの結晶成長と基礎物性,応用物理,03698009,公益社団法人 応用物理学会,2007-07-10,76,7,790-793,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282752337307904,https://doi.org/10.11470/oubutsu.76.7_790