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前田 瑛里香 and 生田目 俊秀 and 廣瀨 雅史 and 井上 万里 and 大井 暁彦 and 池田 直樹 and 塩崎 宏司 and 橋詰 保 and 清野 肇,GaNパワーデバイス用HfAlO<sub>x</sub>、HfSiO<sub>x</sub>、AlSiO<sub>x</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及びHfO<sub>2</sub>絶縁膜の特性比較,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2020-08-26,2020.2,0,1898-1898,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390291932684744960,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_1898