著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
田中 一 and 木本 恒暢 and 森 伸也,ワイドギャップ半導体の衝突イオン化係数にバンド構造が与える影響の解析,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2020-02-28,2020.1,0,3166-3166,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390292240175504256,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_3166