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永瀬 成範 and 高橋 言緒 and 清水 三聡,GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリ特性のON/OFF比増大,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2021-02-26,2021.1,0,2567-2567,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390292472565563520,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2567