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小林 弘人 and 横川 凌 and 木下 晃輔 and 沼沢 陽一郎 and 小掠 厚志 and 西澤 伸一 and 更屋 拓也 and 伊藤 一夫 and 高倉 俊彦 and 鈴木 慎一 and 福井 宗利 and 竹内 潔 and 平本 俊郎,Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価-II-,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2018-09-05,2018.2,0,2888-2888,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390293434338337536,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_2888