分子イオン注入エピウェーハの製品特性(３) －RTA処理による注入欠陥に捕獲された水素の熱処理挙動解析－
書誌事項
- タイトル別名
-
- Characteristic of Molecular Ion Implanted Epitaxial Wafers (3) - Annealing Behavior of Hydrogen Trapped Implantation related defects using RTA -
- 公開日
- 2018-03-05
- DOI
-
- 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3741
- 公開者
- 公益社団法人 応用物理学会
収録刊行物
-
- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
-
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 (0), 3741-3741, 2018-03-05
公益社団法人 応用物理学会
- Tweet
キーワード
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390293655509428992
-
- ISSN
- 24367613
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC