Characteristic of Molecular Ion Implaned Epitaxial Wafers (5) -Getering Behavior Analysis of Implantation-related Defects in CH<sub>3</sub>O Ion Implanted Wafers Using Atom Probe Tomography-

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  • 分子イオン注入エピウェーハの製品特性（５） -3次元アトムプローブを用いたCH<sub>3</sub>Oイオン注入ウェーハに形成される注入欠陥のゲッタリング挙動解析-

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