分子イオン注入エピウェーハの製品特性（５） -3次元アトムプローブを用いたCH<sub>3</sub>Oイオン注入ウェーハに形成される注入欠陥のゲッタリング挙動解析-
書誌事項
- タイトル別名
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- Characteristic of Molecular Ion Implaned Epitaxial Wafers (5) -Getering Behavior Analysis of Implantation-related Defects in CH<sub>3</sub>O Ion Implanted Wafers Using Atom Probe Tomography-
- 公開日
- 2018-03-05
- DOI
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- 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3743
- 公開者
- 公益社団法人 応用物理学会
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 (0), 3743-3743, 2018-03-05
公益社団法人 応用物理学会