Analysis of electric field characteristics of lead wire shape in MOSFET

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  • リード線形状におけるMOS-FET内の電界特性解析

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<p>SiC等のワイドギャップ半導体は Si と比較して低損失，高耐圧，高速スイッチング動作および高温動作が可能という特徴があることから次世代パワーデバイスとして期待されている。一方で，ワイドギャップ半導体の性能を発揮するために，パワーモジュールパッケージの高耐熱化，低寄生インダクタンス化，低熱抵抗化が極めて重要な課題となる。本研究は既存のMOSFETモデルにおいて，有限要素法による電界解析を用い，問題点の抽出と最適設計を目的とする。モデル内の電界分布の状況や，リード形状を変化させた場合の内部空間電界への影響分析，またどういった形状が適しているのかを見つけていく。</p>

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