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松川 貴 and 遠藤 和彦 and 赤坂 洋 and 神谷 保志 and 池田 真義 and 恒川 孝二 and 中川 隆史 and 柳 永勛 and 昌原 明植,IBEを用いたfinミリングによるFinFETの特性ばらつき改善,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2015-02-26,2015.1,0,2874-2874,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390296066524350336,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2874