著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI) 江川 孝志,Si基板上の窒化物半導体結晶成長及びパワーデバイス,,1881-0217,,2023-12-01,J106-C,12,415-422,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390298278366168704,https://doi.org/10.14923/transelej.2023jci0004